S29GL01GS11TFIV20
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S29GL01GS11TFIV20

Procurando pelo mais novo S29GL01GS11TFIV20? Bem-vindo ao Hongxinda, nossas vendas estão aqui para ajudá-lo. Esses dispositivos são projetados para fornecer tempos de acesso à página excepcionalmente rápidos, com velocidades de até 15ns e tempos de acesso aleatório correspondentes de até 90ns. A memória não volátil MIRRORBIT Eclipse™Flash é construída em um núcleo CMOS 3V com uma interface de E/S multifuncional, garantindo transferência de dados eficiente. Além disso, o Infineon S29 pl-s MIRRORBIT Eclipse™Flash possui um buffer de gravação que permite a programação de até 256 palavras/512 bytes em uma única operação.

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Descrição do produto

Você tem a oportunidade de adquirir ou obter conhecimento abrangente sobre a qualidade S29GL01GS11TFIV20 através de nossa plataforma. Nosso extenso estoque de componentes eletrônicos abrange uma ampla variedade, incluindo o S29GL01GS11TFIV20, e oferece opções de envio rápido para entrega no mesmo dia. Aproveitando nossos recursos de fornecimento global, estamos bem equipados para atender pedidos do S29GL01GS11TFIV20 em escala mundial, fortalecendo e otimizando assim sua cadeia de fornecimento de componentes eletrônicos.


Informação básica:

Nome do item: S29GL01GS11TFIV20

Densidade: 1024 MBit

Família:GL-S

Tempo de acesso inicial: 110 ns

Frequência de interface (SDR/DDR) (MHz):NA

Interfaces: Paralelas

Acabamento de bola de chumbo: revestimento de estanho fosco

Temperatura operacional   min  máx.: -40 °C   85 °C

Tensão operacional   mín  máx: 3 V   2,7 V   3,6 V

Tempo de acesso à página: 15 ns

Temperatura máxima de refluxo: 260 °C

Qualificação:Industrial


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